制造商：Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
　　产品系列：SyncBurst? II Plus
　　存储容量：36 Mb
　　组织结构：2M x 18
　　供电电压：1.7V ~ 1.9V
　　接口类型：并行同步
　　最大时钟频率：250 MHz
　　访问时间：4 ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：165-ball BGA (13x15 mm)
　　引脚数量：165
　　数据总线宽度：18 位
　　时钟类型：单时钟同步
　　写入模式：字节写 / 全写
　　突发长度：可编程（1, 2, 4, 8, 整页）
　　掉电保持：否
　　JEDEC 标准：符合 LPDDR 接口兼容性规范
　　RoHS 状态：符合
　　湿敏等级（MSL）：3

CY7C1314KV18-250BZXI 具备多项先进的技术特性，使其在高速数据存储领域表现出色。首先，其双端口架构支持两个独立主机或处理器同时访问同一存储阵列，极大提高了系统的并发处理能力和数据吞吐率。每个端口均可执行完整的读写操作，且内部仲裁机制确保了访问冲突的正确处理，避免数据损坏。其次，该器件采用同步设计，所有输入输出操作均与时钟上升沿对齐，保证了精确的时序控制和稳定的高速运行。其支持高达 250MHz 的时钟频率，对应 4ns 的访问时间，能够满足对延迟极为敏感的应用需求。此外，器件提供可编程突发长度模式，用户可根据实际应用场景选择 1、2、4、8 或整页突发传输，从而优化数据流效率并减少地址切换开销。
　　在功耗管理方面，CY7C1314KV18-250BZXI 集成了多种节能机制。当系统处于空闲状态时，可通过进入低功耗待机模式显著降低动态和静态功耗，而无需牺牲数据完整性。其 1.8V 单电源供电设计不仅简化了电源架构，还降低了整体功耗，适用于便携式或高密度集成系统。器件还具备可配置的输出驱动强度和可选的 DLL（延迟锁定环）旁路模式，增强了信号完整性和布线灵活性。为了提高系统可靠性，该芯片内置了上电复位电路和稳压器监控模块，确保启动过程中的稳定性。此外，其 BGA 封装具有优良的散热性能和电气特性，适合高频信号传输。所有 I/O 引脚均支持 LVCMOS/LVTTL 电平兼容，便于与多种逻辑器件接口连接。总体而言，这些特性使 CY7C1314KV18-250BZXI 成为高端通信基础设施中理想的数据缓冲解决方案。

CY7C1314KV18-250BZXI 广泛应用于需要高速、低延迟、高带宽数据交换的通信和网络设备中。典型应用包括核心路由器和多层交换机中的数据包缓冲区，用于临时存储和转发大量网络流量，保障信息传输的实时性与稳定性。在电信基础设施中，该器件常被用作基站控制器、光传输设备和分组交换背板中的共享内存模块，实现多个处理单元之间的高效数据共享。此外，在数字信号处理（DSP）系统中，如雷达、软件定义无线电（SDR）和视频处理平台，该 SRAM 可作为高速数据暂存区，配合 FPGA 或 DSP 芯片完成复杂的算法运算。其双端口特性特别适用于主从处理器架构，其中一个端口连接主 CPU 进行配置和控制，另一个端口由协处理器或 DMA 控制器用于批量数据传输，有效解耦控制流与数据流。
　　在测试与测量仪器领域，如高速示波器、逻辑分析仪和协议分析仪中，CY7C1314KV18-250BZXI 可用于采集和缓存高速信号样本，支持长时间连续记录而不丢失关键数据。工业自动化系统中的运动控制器和高性能 PLC 也利用该器件实现快速响应的指令队列管理和 I/O 数据缓冲。此外，在军事和航空航天电子系统中，由于其具备宽温工作能力和高可靠性，该芯片可用于飞行控制系统、任务计算机和电子战设备中。随着 5G 和边缘计算的发展，该类高性能 SRAM 在边缘服务器、智能网卡（SmartNIC）和 AI 加速器中也开始得到应用，作为临时结果缓存或权重参数暂存单元。总之，凡是需要高吞吐量、确定性延迟和双处理器协同工作的场合，CY7C1314KV18-250BZXI 都是一个可靠的选择。

CY7C1314KV18-250BZXC
　　CY7C1314KV18-200BZXI
　　CY7C1315KV18-250BZXI
　　CY7C1316KV18-250BZXI
　　IS61WVS10248ALL-250BLI