时间：2025/5/13 8:50:50
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IPDH4N03LA-G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TOLL 封装，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。
这款 MOSFET 以其优异的开关性能和耐用性著称，适合需要高效能、高可靠性的工业和汽车电子设备。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：129A
导通电阻：0.57mΩ
栅极电荷：68nC
开关频率：最高可达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPDH4N03LA-G 提供了超低的导通电阻 (Rds(on))，从而减少了传导损耗，提升了整体效率。同时，其封装设计优化了散热性能，使其能够在高温环境下稳定运行。
此外，该器件具备较低的栅极电荷 (Qg)，有助于减少开关损耗并提高高频操作下的性能。结合其大电流承载能力，IPDH4N03LA-G 成为各类高功率密度应用的理想选择。
由于其出色的热特性和电气特性，此 MOSFET 可广泛应用于 DC-DC 转换器、电动车辆牵引逆变器以及工业马达控制等领域。
该芯片主要应用于以下场景：
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 工业用电机驱动系统
3. 新能源汽车中的逆变器
4. 太阳能微逆变器
5. 电源管理系统 (如服务器和通信设备)
这些应用均受益于其低导通电阻和良好的开关特性，实现了更高效的能量转换与管理。
IPB016N03L-02G, IRF3710TRPBF
