RD9.1MW-T1B 是一款基于肖特基二极管技术设计的高压整流二极管,专为高功率和高频应用设计。该器件采用TO-220封装形式,具有较低的正向压降和较高的反向恢复时间特性,能够在开关电源、逆变器以及其他高频电力电子设备中提供稳定的性能表现。
其核心特点是结合了快速恢复特性和低功耗优势,适用于要求效率高且可靠性强的工业环境。
最大反向电压:900V
最大正向电流:1A
正向电压(典型值):0.65V
反向恢复时间:35ns
工作温度范围:-55℃ to +150℃
结电容:约15pF
封装形式:TO-220
RD9.1MW-T1B 的主要特性包括以下几点:
1. 高耐压能力,可承受高达900V的反向电压,适合在高压环境中使用。
2. 快速反向恢复时间(35ns),使其在高频电路中表现出色。
3. 低正向压降(0.65V),有效减少导通时的功耗,提高系统效率。
4. 工作温度范围宽广,能够适应极端气候条件下的运行需求。
5. 封装坚固耐用,具备良好的散热性能,确保长期稳定运行。
6. 结电容较小(约15pF),有助于减少高频应用中的信号失真。
该二极管广泛应用于各种电力电子领域,例如开关电源(SMPS)、直流电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及焊接设备等。此外,在需要高效率整流和快速切换的场景下,如电动汽车充电站和工业自动化设备中,RD9.1MW-T1B 同样表现出卓越性能。
RD9.1MW-T1A, MUR160T3G, 1N5822