时间：2025/6/28 22:23:38
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IPD90N06S4L-03是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。该器件采用先进的制程工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于需要高频开关和低功耗的应用环境。
该型号为N沟道增强型MOSFET，封装形式通常为TO-220或PDFN8，具体以制造商的实际规格为准。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：75nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）能够显著降低功率损耗，提高整体系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达90A的连续漏极电流。
3. 快速开关特性使其非常适合高频应用，如开关电源和DC-DC转换器。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠工作。
5. 提供多种封装选择，便于根据实际设计需求进行优化布局。
6. 内置ESD保护功能，增强了器件的抗静电能力，提升了可靠性。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备中的负载切换
6. 汽车电子系统中的大电流开关应用
IPW90N06S4L-03
IRLB8748PBF
STP90NF06L
