时间：2025/6/19 19:04:06
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IPD90N04S4-02 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高效率的特性，适合用于高频开关应用。其典型应用场景包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动等。IPD90N04S4-02 提供了卓越的热性能和可靠性，使其成为现代电源管理系统的理想选择。
该芯片的最大连续漏极电流为 85A（在特定条件下），并支持高达 40V 的工作电压，同时具备极低的导通电阻，有助于减少功率损耗。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：85A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ
栅极电荷：36nC
开关时间：典型开启时间 7ns，典型关闭时间 12ns
封装形式：TO-Leadless (TOLL)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPD90N04S4-02 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于提高系统效率并降低发热量。
2. 快速开关能力，适用于高频操作环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 采用了无引线封装技术，提高了散热性能和 PCB 空间利用率。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 支持高电流密度设计，减少了对外部散热措施的需求。
这款 MOSFET 特别适合对效率和散热要求较高的应用场合。
IPD90N04S4-02 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 同步整流电路，特别是在 DC-DC 转换器中。
3. 工业电机驱动和逆变器控制。
4. 大电流负载开关，例如服务器或通信设备。
5. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）和牵引逆变器。
6. 各种需要高效能和高可靠性的电力电子设备。
由于其出色的电气特性和封装优势，该器件能够满足多种复杂应用场景的需求。
IPD90N04S4_LG, IPD90N04S4-03
