时间：2025/5/8 17:37:35
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IPD90N03S4L-02是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种高效能功率转换应用。其封装形式为TO-252(DPAK)，适合表面贴装技术(SMT)工艺。
该型号主要针对消费电子、工业控制、通信设备等领域的电源管理应用，能够满足严格的效率和可靠性要求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：90A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：36nC
开关时间：典型值27ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
IPD90N03S4L-02具有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
此外，它还具备快速开关能力，能够在高频条件下保持较低的开关损耗。
器件的高雪崩能量能力和强鲁棒性确保了其在严苛环境下的稳定运行。
由于采用了优化的热设计，该MOSFET能够有效地散发热量，从而延长使用寿命。
其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景。
该芯片广泛应用于直流-直流转换器、电机驱动电路、电池保护电路以及负载开关等领域。
在消费类电子产品中，如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块，这款MOSFET可以提供高效的功率转换。
工业领域内，可用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及其他需要高可靠性和高效率的电力电子设备。
此外，在汽车电子方面，IPD90N03S4L-02也适用于各类车载充电系统及辅助控制系统。
IRLZ44N
AO3400
FDP16N03L
