时间：2025/6/19 1:43:58
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IPD70N04S3-07 是一款基于先进的沟槽式场效应晶体管（MOSFET）技术设计的 N 沟道功率 MOSFET。该器件主要适用于低电压、高效率的应用场合，例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等。其优化的 Rds(on) 和 Qg 参数使得该器件在高频工作条件下表现出卓越的性能，同时具备较低的导通损耗和开关损耗。
该型号属于 Infineon 的 IPD 系列，采用了符合行业标准的封装形式，便于集成到各种功率电子系统中。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：70A
导通电阻（Rds(on)）：2.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷（Qg）：75nC（典型值）
总电容（Ciss）：3620pF（典型值）
开关速度：快速恢复
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247-3
IPD70N04S3-07 提供了出色的电气性能和可靠性。其关键特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低传导损耗，提高整体效率。
2. 快速的开关速度，得益于较低的栅极电荷 (Qg)，适合高频应用。
3. 高电流承载能力，支持高达 70A 的连续漏极电流。
4. 工作电压为 40V，满足大多数低压系统的应用需求。
5. 宽广的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，确保在极端环境下的稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
7. 封装采用 TO-247-3，具备良好的散热性能和机械强度。
此外，这款 MOSFET 还具有优异的热稳定性和抗浪涌能力，可有效保护电路免受瞬态电压的影响。
IPD70N04S3-07 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)：
- 反激式转换器
- 正激式转换器
2. DC-DC 转换器：
- 升压/降压转换
- 同步整流
3. 电机驱动：
- 直流无刷电机控制
- 步进电机驱动
4. 负载开关：
> - 动态负载切换
5. 通信电源：
- 数据中心供电模块
- 电信设备电源
由于其高性能和可靠性，该器件特别适合需要高效能和紧凑设计的工业与消费类电子设备。
IPW70R029CSA-07, IRF7739TRPBF, STP70NF04
