时间：2025/7/29 11:46:55
阅读：44
IPD65R380C6ATMA1 是英飞凌（Infineon）公司生产的一款高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用CoolMOS?技术，具有低导通电阻和高开关效率。该器件主要用于电源转换、DC-DC转换器、服务器电源、适配器和电池充电器等应用。该MOSFET采用TO-247封装，适合高功率密度设计。
类型：功率MOSFET
技术：CoolMOS?
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）：23A
导通电阻（RDS(on)）：380mΩ
栅极电荷（Qg）：52nC
功耗（Ptot）：134W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：TO-247
IPD65R380C6ATMA1 的核心特性之一是其基于CoolMOS?技术的高性能结构，这种技术显著降低了导通损耗和开关损耗，使其在高频开关应用中表现优异。其导通电阻仅为380mΩ，有助于减少功率损耗，提高系统效率。该MOSFET的650V漏源电压能力使其适用于各种高压电源应用。
此外，该器件具有较高的连续漏极电流能力（23A），能够在高负载条件下保持稳定运行。其低栅极电荷（Qg）为52nC，有助于提高开关速度，从而进一步减少开关损耗。IPD65R380C6ATMA1 的最大功耗为134W，支持在较高环境温度下运行，同时保持良好的热稳定性。
该MOSFET采用TO-247封装形式，具备良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。其封装结构还提供了较强的机械稳定性和较高的安装灵活性。IPD65R380C6ATMA1 的工作温度范围为-55°C至150°C，适合在各种工业环境和恶劣条件下运行。
IPD65R380C6ATMA1 广泛应用于多种电源管理系统，包括服务器电源、电信电源、工业电源、适配器、电池充电器以及DC-DC转换器等。由于其高耐压和低导通电阻特性，该MOSFET在高效率开关电源（SMPS）中表现优异，特别适合用于提高功率因数校正（PFC）电路的效率。
在新能源领域，例如太阳能逆变器和电动车充电系统，IPD65R380C6ATMA1 也具备良好的应用前景。其高效的能量转换能力和稳定的运行特性，使其成为高可靠性电源设计的理想选择。此外，该器件还可用于高频电源变换器、LED照明驱动电源和消费类电子设备的电源模块中。
由于其优异的热管理和高电流承载能力，该MOSFET也常用于电机控制和功率放大器等需要高稳定性和高效率的应用场景。
IPD65R380C6ATMA1 的替代型号包括IPD65R380C6ATMA1的其他版本如IPD65R380C6ATMA1XUMA1，或可选用其他品牌兼容的650V CoolMOS产品，例如STMicroelectronics的STP23NM60N或ON Semiconductor的NTPF3G65K3ST1G。
