时间：2025/11/28 15:56:30
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IPD60R2K1CE 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于 N 沟道增强型器件。它采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等场景。
该器件封装为 TO-247，具有良好的散热性能，适合高功率应用环境。
最大漏源电压：650V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：20A
导通电阻（典型值）：2.1mΩ
功耗：300W
结温范围：-55℃ to 175℃
IPD60R2K1CE 的主要特性包括以下几点：
1. 超低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，支持高频工作条件。
3. 高雪崩能量能力，提升了器件在异常条件下的可靠性。
4. 采用行业标准的 TO-247 封装形式，便于设计集成与散热管理。
5. 工作温度范围宽广，适用于工业级和汽车级应用环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
IPD60R2K1CE 可用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 逆变器及 UPS 系统中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。
5. 各类工业设备和家电中的负载切换功能实现。
6. 充电器和适配器中的高效功率转换模块。
IPD60R2K0CE, IRFP260N, STP20NM60
