时间：2025/11/8 4:32:22
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RB521ES-30T15R是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）生产的表面贴装肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用双二极管结构，配置为共阴极形式，封装为小型SOD-523F（SC-89）封装。该器件设计用于高频、低电压应用场合，具有较低的正向导通压降和快速的反向恢复时间，能够有效提升电源转换效率并减少功率损耗。由于其微型化封装和优异的电气性能，RB521ES-30T15R广泛应用于便携式电子设备、移动通信设备、消费类电子产品以及各类需要紧凑布局和高效能表现的电路设计中。
该二极管的最大重复反向电压（VRRM）为30V，额定平均整流电流为200mA，适用于低压直流电路中的整流、反向极性保护、信号解调及箝位等用途。其低正向电压特性使其在电池供电系统中尤为重要，有助于延长电池使用寿命。此外，产品符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合自动化贴片生产工艺，满足现代电子产品对高密度组装和绿色环保的双重需求。
型号：RB521ES-30T15R
类型：双肖特基二极管（共阴极）
最大重复反向电压 VRRM：30V
最大直流反向电压 VR：30V
最大正向平均整流电流 IO：200mA
峰值正向浪涌电流 IFSM：500mA
最大正向电压 VF：420mV @ IF=2mA；680mV @ IF=10mA
最大反向漏电流 IR：50μA @ VR=30V
反向恢复时间 trr：典型值 4ns
工作结温范围 TJ：-40°C 至 +125°C
存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-523F (SC-89)
安装方式：表面贴装（SMT）
RB521ES-30T15R的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，实现了非常低的正向导通压降与极短的反向恢复时间，显著优于传统的PN结二极管。在小电流工作条件下（如IF=2mA时），其正向压降仅为420mV左右，大幅降低了功耗，提升了系统能效，特别适用于电池供电或能量敏感型应用。同时，该器件具备高达30V的反向耐压能力，在大多数低压电源管理系统中足以应对瞬态电压波动，提供可靠的电路保护功能。
其反向恢复时间trr典型值仅为4纳秒，表现出卓越的开关速度，能够在高频开关电源、DC-DC转换器和高速信号整流等场景下有效抑制反向恢复电荷带来的能量损耗与电磁干扰（EMI），从而提高整体系统的稳定性与效率。双二极管共阴极结构设计使其适用于全波整流或双通道信号处理电路，节省PCB空间的同时简化了布线复杂度。
该器件采用SOD-523F超小型表面贴装封装，外形尺寸约为1.0mm × 0.6mm × 0.5mm，非常适合高密度集成板级设计，支持回流焊工艺，具有良好的热循环耐久性和机械强度。产品符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准，表明其不仅适用于消费电子领域，也可用于汽车电子中的辅助电源管理模块。此外，器件无铅且符合RoHS指令要求，体现了环保设计理念，适应全球市场的合规需求。
RB521ES-30T15R因其小巧体积与高效性能，被广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中的电源路径管理与电池充放电保护电路，用于防止反向电流流动并实现电压箝位。在DC-DC转换器中，它常作为同步整流辅助二极管或续流二极管使用，利用其低VF特性减少能量损失，提高转换效率。
此外，该器件也适用于USB接口的过压与反接保护、信号解调电路、逻辑电平移位器中的隔离元件，以及各类传感器模块的电源隔离设计。在无线通信设备中，可用于射频信号检测与包络检波，凭借其快速响应能力确保信号完整性。由于通过了AEC-Q101认证，RB521ES-30T15R还可用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、车载充电器等汽车电子子系统，满足严苛环境下的长期运行要求。
工业控制领域中，该二极管可用于PLC模块、传感器供电单元及低功耗微控制器外围电路，提供高效的电压隔离与瞬态抑制功能。总之，凡是对空间、功耗和响应速度有较高要求的应用场景，RB521ES-30T15R都是一个理想的选择。
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"RB521VM-30",
"PMDS30,215",
"BAT54C-WM",
"DMK1000S-7-F",
"NSRK52130"
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