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IPD50P04P413ATMA1 发布时间 时间:2025/5/23 11:40:33 查看 阅读:13

IPD50P04P413ATMA1是一款由Infineon Technologies生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。此型号的MOSFET采用了TO-263封装形式,适合表面贴装技术(SMT),能够提供卓越的电气性能和散热特性。
  该MOSFET的主要特点是其P沟道设计,使其适用于各种需要高压侧开关的应用场景,例如负载切换、电池管理系统(BMS)以及汽车电子等。同时,IPD50P04P413ATMA1具备出色的静电防护能力(ESD),以提高系统在恶劣环境下的可靠性。

参数

类型:P沟道 MOSFET
  最大漏源电压(VDS):40V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):50A
  导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ
  总功耗(Ptot):187W
  工作温度范围(TA):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263

特性

IPD50P04P413ATMA1具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻RDS(on),有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高电流承载能力,可支持高达50A的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
  3. 快速开关特性,降低开关损耗并提高高频操作性能。
  4. 高度可靠的ESD保护机制,增强器件在复杂电磁环境中的稳定性。
  5. 采用TO-263封装,具备良好的热管理和机械强度。
  6. 广泛的工作温度范围(-55°C至+175°C),适应极端气候条件下的使用需求。
  7. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

这款MOSFET适用于多种领域:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的开关元件。
  2. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
  3. 工业自动化设备中的电机驱动和控制。
  4. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  5. 各类消费电子产品中的电源管理模块。
  6. 高效节能的LED驱动器设计。
  由于其强大的电流处理能力和低导通电阻,IPD50P04P413ATMA1特别适合要求高效能和高可靠性的应用场合。

替代型号

IPB50P04P4L2TMA1, IPP50P04P4L2TMA1

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IPD50P04P413ATMA1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥12.56000剪切带(CT)2,500 : ¥5.08746卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12.6 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 85μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)51 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3670 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)58W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3-313
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63