时间：2025/5/23 11:40:33
阅读：18
IPD50P04P413ATMA1是一款由Infineon Technologies生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。此型号的MOSFET采用了TO-263封装形式，适合表面贴装技术(SMT)，能够提供卓越的电气性能和散热特性。
该MOSFET的主要特点是其P沟道设计，使其适用于各种需要高压侧开关的应用场景，例如负载切换、电池管理系统(BMS)以及汽车电子等。同时，IPD50P04P413ATMA1具备出色的静电防护能力(ESD)，以提高系统在恶劣环境下的可靠性。
类型：P沟道 MOSFET
最大漏源电压(VDS)：40V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：50A
导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ
总功耗(Ptot)：187W
工作温度范围(TA)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263
IPD50P04P413ATMA1具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高电流承载能力，可支持高达50A的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
3. 快速开关特性，降低开关损耗并提高高频操作性能。
4. 高度可靠的ESD保护机制，增强器件在复杂电磁环境中的稳定性。
5. 采用TO-263封装，具备良好的热管理和机械强度。
6. 广泛的工作温度范围(-55°C至+175°C)，适应极端气候条件下的使用需求。
7. 符合RoHS标准，环保且安全。
这款MOSFET适用于多种领域：
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的开关元件。
2. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和控制。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
5. 各类消费电子产品中的电源管理模块。
6. 高效节能的LED驱动器设计。
由于其强大的电流处理能力和低导通电阻，IPD50P04P413ATMA1特别适合要求高效能和高可靠性的应用场合。
IPB50P04P4L2TMA1, IPP50P04P4L2TMA1
