IPD50N10S3L-16 是一款 N 沟道功率 MOSFET,属于 STMicroelectronics 的 MDmesh? M6 系列。该器件采用 SuperSO8 封装,具有低导通电阻和高雪崩能力的特点,适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
该系列 MOSFET 在效率和散热性能方面表现出色,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
型号:IPD50N10S3L-16
封装:SuperSO8
Vds (漏源极电压):100V
Rds(on)(导通电阻):4.2mΩ @ Vgs=10V
Id(连续漏极电流):50A
Qg(栅极电荷):47nC
EAS(雪崩能量):1.5J
fsw(开关频率):支持高达 1MHz
Vgs(栅源电压):±20V
Tj(结温范围):-55°C 至 +175°C
IPD50N10S3L-16 提供了卓越的导通效率和动态性能,其主要特性如下:
1. 极低的 Rds(on),在高电流应用中可显著降低导通损耗。
2. 高雪崩能力和稳健性,确保在异常条件下仍能正常工作。
3. 快速开关速度,减少了开关损耗并提升了高频应用中的效率。
4. 优化的栅极电荷设计,简化了驱动电路的设计并降低了驱动功耗。
5. 小型 SuperSO8 封装,适合空间受限的应用场景。
6. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境条件。
这些特性使得 IPD50N10S3L-16 成为高性能功率转换和电机控制应用的理想选择。
IPD50N10S3L-16 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路中的桥臂开关。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. LED 驱动器中的功率开关。
6. 电池管理系统(BMS)中的功率路径管理。
这款 MOSFET 凭借其出色的性能表现,能够满足多种工业和消费类电子产品的功率需求。
IPD50N10S3L-11, IPP50N10S3L-11, IXTT50N10S3L