时间：2025/5/9 14:15:43
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IPD50N10S3L-16 是一款 N 沟道功率 MOSFET，属于 STMicroelectronics 的 MDmesh? M6 系列。该器件采用 SuperSO8 封装，具有低导通电阻和高雪崩能力的特点，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
该系列 MOSFET 在效率和散热性能方面表现出色，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
型号：IPD50N10S3L-16
封装：SuperSO8
Vds (漏源极电压)：100V
Rds(on)（导通电阻）：4.2mΩ @ Vgs=10V
Id（连续漏极电流）：50A
Qg（栅极电荷）：47nC
EAS（雪崩能量）：1.5J
fsw（开关频率）：支持高达 1MHz
Vgs（栅源电压）：±20V
Tj（结温范围）：-55°C 至 +175°C
IPD50N10S3L-16 提供了卓越的导通效率和动态性能，其主要特性如下：
1. 极低的 Rds(on)，在高电流应用中可显著降低导通损耗。
2. 高雪崩能力和稳健性，确保在异常条件下仍能正常工作。
3. 快速开关速度，减少了开关损耗并提升了高频应用中的效率。
4. 优化的栅极电荷设计，简化了驱动电路的设计并降低了驱动功耗。
5. 小型 SuperSO8 封装，适合空间受限的应用场景。
6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。
这些特性使得 IPD50N10S3L-16 成为高性能功率转换和电机控制应用的理想选择。
IPD50N10S3L-16 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路中的桥臂开关。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. LED 驱动器中的功率开关。
6. 电池管理系统（BMS）中的功率路径管理。
这款 MOSFET 凭借其出色的性能表现，能够满足多种工业和消费类电子产品的功率需求。
IPD50N10S3L-11, IPP50N10S3L-11, IXTT50N10S3L
