您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IPD50N10S3L-16

IPD50N10S3L-16 发布时间 时间:2025/5/9 14:15:43 查看 阅读:20

IPD50N10S3L-16 是一款 N 沟道功率 MOSFET,属于 STMicroelectronics 的 MDmesh? M6 系列。该器件采用 SuperSO8 封装,具有低导通电阻和高雪崩能力的特点,适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
  该系列 MOSFET 在效率和散热性能方面表现出色,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。

参数

型号:IPD50N10S3L-16
  封装:SuperSO8
  Vds (漏源极电压):100V
  Rds(on)(导通电阻):4.2mΩ @ Vgs=10V
  Id(连续漏极电流):50A
  Qg(栅极电荷):47nC
  EAS(雪崩能量):1.5J
  fsw(开关频率):支持高达 1MHz
  Vgs(栅源电压):±20V
  Tj(结温范围):-55°C 至 +175°C

特性

IPD50N10S3L-16 提供了卓越的导通效率和动态性能,其主要特性如下:
  1. 极低的 Rds(on),在高电流应用中可显著降低导通损耗。
  2. 高雪崩能力和稳健性,确保在异常条件下仍能正常工作。
  3. 快速开关速度,减少了开关损耗并提升了高频应用中的效率。
  4. 优化的栅极电荷设计,简化了驱动电路的设计并降低了驱动功耗。
  5. 小型 SuperSO8 封装,适合空间受限的应用场景。
  6. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境条件。
  这些特性使得 IPD50N10S3L-16 成为高性能功率转换和电机控制应用的理想选择。

应用

IPD50N10S3L-16 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
  3. 电机驱动电路中的桥臂开关。
  4. 各种负载开关和保护电路。
  5. LED 驱动器中的功率开关。
  6. 电池管理系统(BMS)中的功率路径管理。
  这款 MOSFET 凭借其出色的性能表现,能够满足多种工业和消费类电子产品的功率需求。

替代型号

IPD50N10S3L-11, IPP50N10S3L-11, IXTT50N10S3L

IPD50N10S3L-16推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IPD50N10S3L-16参数

  • 数据列表IPD50N10S3L-16
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 60µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs64nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4180pF @ 25V
  • 功率 - 最大100W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IPD50N10S3L-16-NDIPD50N10S3L-16TRSP000386185