IPD30N08S2L-21 是一款基于沟槽栅极 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件专为高效开关和低导通损耗应用而设计,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK 类型,适合于高功率密度的设计需求。
这款 MOSFET 广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高性能功率开关的应用中。
最大漏源电压:80V
连续漏极电流:30A
导通电阻(典型值):9.5mΩ
栅极电荷:27nC
开关速度:快速
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-220, DPAK
IPD30N08S2L-21 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型工作条件下仅为 9.5mΩ,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力,支持高达 30A 的连续漏极电流输出。
3. 快速开关性能,得益于优化的栅极电荷设计,能够有效减少开关损耗。
4. 工作温度范围宽广,从 -55℃ 到 +150℃,适用于多种恶劣环境下的应用。
5. 封装形式多样化,提供标准的 TO-220 和表面贴装 DPAK 封装,便于不同设计需求的选择。
6. 良好的热性能,确保在高功率应用场景中的可靠性。
这些特性使 IPD30N08S2L-21 成为一种理想的功率开关元件,适用于各种对效率和可靠性要求较高的场合。
IPD30N08S2L-21 主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):
包括 AC/DC 转换器、DC/DC 转换器等,用于实现高效的电压转换。
2. 电机驱动:
适用于家用电器、工业设备以及电动工具中的无刷直流电机(BLDC)控制。
3. 逆变器:
在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中作为功率开关使用。
4. 电池管理系统(BMS):
用于保护电路和负载切换。
5. 各种消费类电子产品:
如充电器、适配器等,以满足高效率和小型化的需求。
IRFZ44N, STP30NF06L