时间：2025/7/1 3:45:12
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IPD30N06S2-23 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TOLL 封装形式。该器件适用于需要高效能开关和低导通电阻的应用场景，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。其 60V 的耐压能力使其适合中低压应用环境。
这款 MOSFET 以出色的 Rds(on) 和低栅极电荷特性著称，从而实现更高的效率和更快的开关速度。此外，它具备较低的热阻和良好的散热性能，能够有效提升系统的可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：48nC（典型值）
总栅极电荷：56nC（最大值）
开关频率：支持高达 1MHz 的高频应用
封装类型：TOLL
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，具有低栅极电荷和输出电荷，可降低开关损耗。
3. 高温稳定性，能在极端温度条件下可靠运行。
4. TOLL 封装提供卓越的热性能和电气性能。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 内置 ESD 保护，增强器件的抗静电能力。
7. 可靠性高，经过严格的测试和验证流程，确保长期使用中的稳定性。
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的高效功率开关。
2. 工业和消费类电机驱动电路。
3. 负载开关和电池管理系统（BMS）。
4. 电信和网络设备中的电源管理模块。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率级设计。
6. 高频谐振转换器及 PFC（功率因数校正）电路。
IPD28N06S2-23, IPB030N06L, IRFZ44N
