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IPD30N06S2-23 发布时间 时间:2025/7/1 3:45:12 查看 阅读:8

IPD30N06S2-23 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TOLL 封装形式。该器件适用于需要高效能开关和低导通电阻的应用场景,例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。其 60V 的耐压能力使其适合中低压应用环境。
  这款 MOSFET 以出色的 Rds(on) 和低栅极电荷特性著称,从而实现更高的效率和更快的开关速度。此外,它具备较低的热阻和良好的散热性能,能够有效提升系统的可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:48nC(典型值)
  总栅极电荷:56nC(最大值)
  开关频率:支持高达 1MHz 的高频应用
  封装类型:TOLL
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,具有低栅极电荷和输出电荷,可降低开关损耗。
  3. 高温稳定性,能在极端温度条件下可靠运行。
  4. TOLL 封装提供卓越的热性能和电气性能。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 内置 ESD 保护,增强器件的抗静电能力。
  7. 可靠性高,经过严格的测试和验证流程,确保长期使用中的稳定性。

应用

1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的高效功率开关。
  2. 工业和消费类电机驱动电路。
  3. 负载开关和电池管理系统(BMS)。
  4. 电信和网络设备中的电源管理模块。
  5. 太阳能逆变器和储能系统的功率级设计。
  6. 高频谐振转换器及 PFC(功率因数校正)电路。

替代型号

IPD28N06S2-23, IPB030N06L, IRFZ44N

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IPD30N06S2-23参数

  • 数据列表IPD30N06S2-23
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 21A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds901pF @ 25V
  • 功率 - 最大100W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000252166