时间：2025/6/12 16:06:32
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IPD30N03S2L-07 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用 TOLL 封装形式，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关等应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：94A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：55nC
总电容：100pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPD30N03S2L-07 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 1.2mΩ，能够显著降低传导损耗。
2. 高额定电流能力，连续漏极电流可达 94A，适用于高功率应用。
3. 快速开关性能，其低栅极电荷和输出电荷有助于减少开关损耗。
4. 高温可靠性，工作温度范围从 -55℃ 到 +175℃，满足工业级和汽车级需求。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. TOLL 封装提供优异的散热性能和坚固的机械结构，适合表面贴装技术（SMT）。
该器件广泛应用于多种领域：
1. 工业电源和服务器电源中的 DC-DC 转换器。
2. 同步整流电路，用于提高效率并降低功耗。
3. 电机驱动器，特别是需要高频切换的应用。
4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的车载充电器与逆变器。
5. 高效负载开关和保护电路。
6. 太阳能微逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
IPB030N03L_G, IRFB3207
