时间：2025/5/14 18:51:58
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IPD200N15N3G是一款高性能的MOSFET功率晶体管，由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产。该器件属于CoolMOS系列，采用N沟道增强型技术设计，主要适用于高频开关应用和功率转换电路。其出色的开关特性和较低的导通电阻使得该器件在电源管理、电机驱动以及电信设备等场景中表现优异。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：200A
导通电阻：4.6mΩ（典型值，VGS=10V时）
栅极电荷：85nC（最大值，VDS=150V，ID=100A时）
开关频率：高达1MHz
结温范围：-55℃至175℃
封装形式：G-TOP-289-2
IPD200N15N3G具有非常低的导通电阻，能够在高电流条件下提供高效的功率转换，减少能量损耗。
其优化的栅极电荷设计使其具备快速的开关速度，从而降低开关损耗并提高系统效率。
该器件支持较高的工作温度范围，能够适应恶劣的工作环境。
内置反向恢复二极管，进一步提升性能并简化电路设计。
采用了先进的沟槽式MOSFET技术，确保了更高的可靠性和稳定性。
该芯片广泛应用于各种高功率密度的场合，包括但不限于服务器电源、通信基站电源、不间断电源（UPS）、工业逆变器、焊接设备、电机驱动控制以及电动汽车充电站等。此外，它还适用于DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路以及其他需要高效功率管理的领域。
IPD150N15N3G, IPW200N15N3G
