时间：2025/5/10 14:02:59
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IPD15N06S2L-64 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，采用 SuperSO8 封电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等领域。其优化的栅极电荷和导通电阻特性使其在高频应用中表现出色。此外，它具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的特点，有助于减少开关损耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：15A
导通电阻：3.9mΩ
栅极电荷：27nC
总栅极电荷：35nC
反向恢复电荷：30nC
工作结温范围：-55℃ to +175℃
IPD15N06S2L-64 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可降低传导损耗。
2. 优化的栅极电荷 (Qg)，提高了开关性能并降低了开关损耗。
3. 快速的反向恢复时间 (trr)，适合高频应用。
4. 超小型 SuperSO8 封装设计，能够提供出色的散热性能。
5. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该芯片适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 电池管理系统 (BMS) 的负载开关或保护开关。
4. 电机驱动电路中的功率开关元件。
5. 各类工业控制设备中的功率级模块。
IPB15N06S2L-64, IPD14N06S2L-64
