D9N05CLG 时间：2025/6/25 21:19:24 阅读：6

D9N05CLG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的制造工艺设计，适用于各种开关和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，使其成为高效能电源转换和负载切换的理想选择。其封装形式为 LFPAK88，能够提供卓越的散热性能和机械稳定性。
　　该型号特别适合用于消费电子、工业控制以及通信设备中的 DC-DC 转换器、电池保护电路、电机驱动等场景。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：26A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 条件下）
　　栅极电荷：37nC（典型值）
　　开关时间：ton=13ns，toff=18ns（典型值）
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

D9N05CLG 的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　2. 高额定电流能力，支持高达 26A 的连续漏极电流。
　　3. 快速开关速度，栅极电荷较低，可降低开关损耗。
　　4. 宽工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适合恶劣环境下的应用。
　　5. LFPAK88 封装，具备出色的散热性能和电气连接可靠性。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
　　7. 内置反向二极管，便于同步整流和续流应用。

应用

D9N05CLG 广泛应用于多种领域，例如：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流 MOSFET。
　　2. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关或保护元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级开关。
　　4. 便携式电子设备中的快速充电解决方案。
　　5. 工业自动化设备中的信号切换和功率控制。
　　6. LED 驱动器和汽车电子中的高效功率传输组件。
　　D9N05CLG 的高性能和可靠性使其在这些应用中表现出色。