时间：2025/7/11 12:19:37
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IPD14N06S2-80 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款 MOSFET 的额定电压为 60V，连续漏极电流可达 14A，适用于中低压应用场合。其紧凑的封装设计有助于节省电路板空间，同时优化了热性能。
类型：N沟道 MOSFET
额定电压：60V
最大漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：8.5mΩ
栅极电荷（典型值）：32nC
总功耗：76W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220FP
IPD14N06S2-80 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下降低功耗。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 内置反向二极管，简化了电路设计并提高了效率。
4. 具备出色的热稳定性和鲁棒性，确保在恶劣环境下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 支持表面贴装和通孔安装两种方式，适应不同生产工艺需求。
该芯片的主要应用场景如下：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 各类 DC-DC 转换器。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池管理与保护系统。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 汽车电子领域的逆变器和控制器。
7. LED 照明驱动电路。
IRFZ44N, FDP14N06L, STP14NF06
