时间：2025/4/3 9:55:24
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IPD135N03L G是一款由Infineon（英飞凌）生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用场合。其封装形式为PQFN3333-16，具备出色的散热性能和紧凑的设计，适合对空间要求严格的现代电子产品。
该器件的额定电压为30V，连续漏极电流可达42A，能够满足大多数低压大电流应用场景的需求。同时，由于其超低的导通电阻，可以显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：42A
导通电阻（典型值）：1.1mΩ
栅极电荷（典型值）：87nC
总热阻（结到外壳）：29°C/W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，栅极电荷较低，有助于降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 小型PQFN3333-16封装，节省PCB空间并提供良好的热性能。
5. 符合RoHS标准，环保且适合多种工业及消费类应用。
6. 工作温度范围宽广，适应严苛的工作环境。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电动工具、家用电器以及其他设备中的直流电机驱动。
3. 汽车电子系统中的负载切换与保护电路。
4. 工业自动化控制中的功率转换模块。
5. 各种电池管理系统的充放电控制电路。
6. LED照明驱动中的高效功率管理方案。
IPD120N03L G, IPP050N03L G, IPP150N03L G
