IPD12N03L是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为低电压应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种电力电子应用。其封装形式通常为SOT-23,适合紧凑型设计需求。
该型号属于N沟道增强型MOSFET,能够提供高效率的能量转换,并具备良好的热稳定性和耐用性。它广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制等领域。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:1.7A
导通电阻(典型值):50mΩ
总电荷量(Qg):8nC
开关时间:ton=6ns,toff=4ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
1. 低导通电阻:IPD12N03L在典型工况下的导通电阻仅为50mΩ,可有效降低功率损耗。
2. 高开关速度:该器件的开关时间非常短(开启时间为6ns,关闭时间为4ns),非常适合高频应用。
3. 小型化封装:采用SOT-23封装,体积小巧,便于在空间受限的应用中使用。
4. 良好的热性能:优化的芯片设计使其能够在高温环境下稳定运行。
5. 可靠性高:经过严格的测试和筛选,确保了其在各种恶劣条件下的可靠性。
IPD12N03L适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器,尤其是降压或升压电路。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 电机驱动电路中的开关元件。
5. 各种便携式电子设备中的负载开关。
6. 保护电路,如过流保护和短路保护等。
IPB120N03L
IPP120N03L
IRLML6402