时间：2025/5/23 5:53:51
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IPD122N10N3 G 是一款高性能的 N 沃特型功率场效应晶体管 (N-Channel Power MOSFET)，广泛应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频应用中实现高效的能量转换。
这款 MOSFET 的封装形式为 DPAK (TO-252)，具有出色的散热性能和紧凑的设计，适合于空间受限的应用场合。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：168A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：49nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，适合高频应用。
3. 高雪崩能力，增强在异常情况下的耐用性。
4. 紧凑的 DPAK 封装，提供良好的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 具有较高的电流承载能力，支持大功率设计。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各类电机驱动和控制电路。
3. 负载开关和保护电路。
4. 太阳能逆变器和工业电源模块。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
6. 汽车电子中的高可靠性功率切换应用。
IPD110N10N3G, IPD130N10N3G, IRFZ44N
