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IPD10N03LAG 发布时间 时间:2025/7/8 15:28:45 查看 阅读:9

IPD10N03LAG是一种N沟道功率MOSFET,采用TO-252 (DPAK)封装形式。该器件适用于需要高效能、低导通电阻的应用场合,广泛用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。
  这款MOSFET具有较低的导通电阻以及良好的开关特性,能够显著提高效率并降低功耗。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻(Rds(on)):18mΩ
  栅极电荷:9nC
  总电容(Ciss):1740pF
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

IPD10N03LAG的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少导通损耗。
  2. 高速开关能力,支持高频应用。
  3. 较低的栅极电荷,有助于降低驱动功耗。
  4. 具备出色的热稳定性,能够在高温环境下正常运行。
  5. 小型化的封装设计,适合紧凑型电路板布局。
  6. 高可靠性和长寿命,适用于工业及消费类电子产品。

应用

该器件适用于多种领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 电机驱动控制电路中的功率开关。
  3. 负载开关和保护电路。
  4. DC-DC转换器中的功率MOSFET开关。
  5. 各种电池管理系统的功率控制元件。

替代型号

IRLZ44N, AO3400A

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IPD10N03LAG参数

  • 制造商Infineon
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压25 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流30 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)17.4 m Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252
  • 封装Reel
  • 下降时间2.8 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散52 W
  • 上升时间4.8 ns
  • 典型关闭延迟时间18 ns