时间：2025/5/20 19:02:10
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IPD100N06S4-03是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。其额定电压为60V，能够提供高达100A的连续漏极电流。
最大漏源电压：60V
最大漏极电流：100A
导通电阻：2.5mΩ（典型值）
栅极电荷：85nC（典型值）
开关时间：ton=15ns，toff=25ns（典型值）
结温范围：-55℃至+175℃
IPD100N06S4-03采用了先进的工艺技术制造，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且适用于广泛的工业领域。
5. 良好的热性能，支持长时间稳定运行。
该功率MOSFET适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），例如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，在汽车电子和通信设备中常见。
3. 电机驱动电路，如家用电器和工业自动化中的无刷直流电机控制。
4. 能量回收系统以及太阳能逆变器中的功率管理模块。
5. 各种保护电路，如过流保护和负载切换电路。
IRLB8729PBF, STP100N06HD, FDP157N06A
