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MJD41CT4G 发布时间 时间：2023/4/6 11:43:47 查看 阅读：823

类别：分离式半导体产品

目录

概述

类别：分离式半导体产品 

家庭：晶体管(BJT) - 单路

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大）：6A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 600mA, 6A

电流 - 集电极截止（最大）：50μA

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：15 @ 3A, 4V

功率 - 最大：1.75W

频率 - 转换：3MHz

安装类型：表面贴装 

封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

包装：带卷 (TR)

供应商设备封装：D-Pak

其它名称：MJD41CT4GOS

资料

厂商
ON Semiconductor

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MJD41CT4G产品

MJD41CT4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）1.5V @ 600mA，6A
  • 电流 - 集电极截止（最大）50µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)15 @ 3A，4V
  • 功率 - 最大1.75W
  • 频率 - 转换3MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MJD41CT4GOSMJD41CT4GOS-NDMJD41CT4GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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