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MJD41CT4G 发布时间 时间:2023/4/6 11:43:47 查看 阅读:722

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品 

家庭:晶体管(BJT) - 单路

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大):6A

电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 600mA, 6A

电流 - 集电极截止(最大):50μA

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):15 @ 3A, 4V

功率 - 最大:1.75W

频率 - 转换:3MHz

安装类型:表面贴装 

封装/外壳:DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

包装:带卷 (TR)

供应商设备封装:D-Pak

其它名称:MJD41CT4GOS

资料

厂商
ON Semiconductor

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MJD41CT4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 600mA,6A
  • 电流 - 集电极截止(最大)50µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)15 @ 3A,4V
  • 功率 - 最大1.75W
  • 频率 - 转换3MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MJD41CT4GOSMJD41CT4GOS-NDMJD41CT4GOSTR