时间：2025/6/3 10:36:41
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IPD100N04S4-02 是一款由英飞凌（Infineon）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术，具有极低的导通电阻和优秀的开关性能，适用于高频开关应用。其封装形式为 SuperSO8，有助于提高功率密度并降低系统成本。
这款 MOSFET 的额定电压为 40V，适合用于汽车电子、工业驱动以及消费类电子产品中的电源管理电路。通过优化的芯片设计，IPD100N04S4-02 能够在高效率和高可靠性之间取得平衡。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：107A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷（典型值）：49nC
总热阻（结到环境）：43°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：SuperSO8
IPD100N04S4-02 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高负载电流条件下保持较低的功耗。
2. 快速开关能力，能够有效减少开关损耗，提升整体效率。
3. 内置 ESD 保护功能，提高了器件的可靠性和抗干扰能力。
4. 高温工作能力（最高可达 175°C），适用于严苛的工作环境。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
6. 符合 AEC-Q101 标准，满足汽车级应用需求。
IPD100N04S4-02 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子系统中的电机驱动和 DC-DC 转换器。
2. 工业设备中的逆变器和开关电源。
3. 消费类电子产品的快速充电适配器和 USB-PD 控制器。
4. 电信和网络设备中的高效电源模块。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源转换系统。
由于其出色的电气性能和可靠性，IPD100N04S4-02 成为众多高功率密度设计的理想选择。
IPD90N04S4-02, IPB150N04L4-02
