您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IPD100N04S4-02

IPD100N04S4-02 发布时间 时间:2025/6/3 10:36:41 查看 阅读:4

IPD100N04S4-02 是一款由英飞凌(Infineon)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术,具有极低的导通电阻和优秀的开关性能,适用于高频开关应用。其封装形式为 SuperSO8,有助于提高功率密度并降低系统成本。
  这款 MOSFET 的额定电压为 40V,适合用于汽车电子、工业驱动以及消费类电子产品中的电源管理电路。通过优化的芯片设计,IPD100N04S4-02 能够在高效率和高可靠性之间取得平衡。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:107A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷(典型值):49nC
  总热阻(结到环境):43°C/W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:SuperSO8

特性

IPD100N04S4-02 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高负载电流条件下保持较低的功耗。
  2. 快速开关能力,能够有效减少开关损耗,提升整体效率。
  3. 内置 ESD 保护功能,提高了器件的可靠性和抗干扰能力。
  4. 高温工作能力(最高可达 175°C),适用于严苛的工作环境。
  5. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,同时支持表面贴装工艺,便于自动化生产。
  6. 符合 AEC-Q101 标准,满足汽车级应用需求。

应用

IPD100N04S4-02 广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子系统中的电机驱动和 DC-DC 转换器。
  2. 工业设备中的逆变器和开关电源。
  3. 消费类电子产品的快速充电适配器和 USB-PD 控制器。
  4. 电信和网络设备中的高效电源模块。
  5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源转换系统。
  由于其出色的电气性能和可靠性,IPD100N04S4-02 成为众多高功率密度设计的理想选择。

替代型号

IPD90N04S4-02, IPB150N04L4-02

IPD100N04S4-02推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IPD100N04S4-02参数

  • 数据列表IPD100N04S4-02
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 95µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs118nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9430pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3-313
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IPD100N04S402ATMA1SP000646184