时间：2025/7/11 12:18:50
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IPD088N06N3G是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件由Infineon Technologies生产，专为高效开关应用设计。其低导通电阻和高效率使得它非常适合于各类电源管理场景，包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等应用。此外，该MOSFET具备快速开关性能，有助于降低开关损耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：8.8A
导通电阻（典型值）：19mΩ
栅极电荷：11nC
开关时间：ton=15ns，toff=9ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
IPD088N06N3G具有非常低的导通电阻，能够在高频开关条件下维持高效率。同时，该器件采用了先进的工艺技术以优化热性能和电气性能。它还具备出色的抗雪崩能力，确保在异常条件下能够可靠运行。
另外，由于其小型化的TO-252封装设计，该MOSFET可以节省电路板空间，并且易于安装与焊接。这种MOSFET的动态性能优越，适合应用于各种需要快速开关响应的场合。
IPD088N06N3G广泛应用于消费电子、工业控制和汽车领域中的多种产品中。常见的应用场景包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器；
2. 便携式设备中的负载开关；
3. 电动工具和其他小型电机驱动系统；
4. 电池管理系统(BMS)，如锂电池保护电路；
5. LED照明驱动器及其它要求高效能转换的应用。
IPP080N06N3G
