BS2F7VZ7702 时间：2025/8/28 5:44:54 阅读：25

BS2F7VZ7702 是一款由 Rohm（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。这款 MOSFET 设计用于在高频率和高电流条件下提供稳定的性能，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统和负载开关等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：连续：12A（Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：最大3.7mΩ（在Vgs=10V时）
　　最大功耗(Pd)：48W
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：HSON（热增强型小型封装）

特性

BS2F7VZ7702 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用了罗姆先进的功率 MOSFET 技术，能够在高温环境下保持良好的稳定性。
　　此外，BS2F7VZ7702 具有良好的热稳定性，封装设计中集成了散热焊盘，有助于将热量快速传导到 PCB 上，从而降低热阻。这使得该 MOSFET 在高电流应用中能够保持较低的工作温度，延长使用寿命。
　　另一个显著特点是其高电流承载能力。在适当的散热条件下，BS2F7VZ7702 能够支持高达 12A 的连续漏极电流，适用于中高功率的电源转换系统。同时，其快速开关特性使其适用于高频开关应用，从而减小外围电路的尺寸和成本。
　　该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，增强了在严苛工作环境下的可靠性。这些特性使其成为工业电源、电动工具、服务器电源和汽车电子等应用的理想选择。

应用

BS2F7VZ7702 广泛应用于多种功率电子系统中。在开关电源（SMPS）设计中，它通常作为主开关器件，用于高效地将输入电压转换为所需的输出电压。此外，它也常用于 DC-DC 转换器，如降压（Buck）和升压（Boost）电路，以实现高效的能量转换。
　　在电池管理系统中，BS2F7VZ7702 可作为高侧或低侧开关，控制电池的充放电路径。由于其低导通电阻，能够在大电流条件下减少功耗，从而提高电池使用效率。
　　此外，该器件也适用于负载开关和电机控制电路，特别是在需要快速开关响应和高可靠性的工业控制和自动化设备中。在服务器和通信设备的电源模块中，BS2F7VZ7702 也因其高效率和良好的热性能而被广泛采用。