时间：2025/7/8 15:37:40
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IPD088N06N3 G是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，采用TO-252(DPAK)封装形式。该器件专为低导通电阻和高效率开关应用而设计，适用于各种电源管理和功率转换场景。其额定电压为60V，最大连续漏极电流可达8.8A（在特定结温下），具有快速开关速度和低栅极电荷特性，从而提升了系统效率并降低了功耗。
该型号属于Infineon Technologies旗下的CoolMOS系列，具备出色的热性能和耐用性，非常适合于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域的应用。
额定电压：60V
最大连续漏极电流：8.8A (Tc=25°C)
导通电阻(Rds(on))：4.7mΩ (典型值，Vgs=10V)
栅极电荷(Qg)：13nC (典型值)
总电容(Ciss)：970pF (典型值)
漏源击穿电压(BVdss)：60V (最小值)
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
IPD088N06N3 G具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可显著降低导通损耗，提升整体效率。
2. 快速开关能力，得益于低栅极电荷Qg和优化的内部结构。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子设备的要求。
5. 支持高频开关操作，适合DC-DC转换器、电机驱动器及负载开关等应用。
6. 具备良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
该器件适用于以下应用场景：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流管。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 电机驱动器中的功率级开关。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
7. 消费类电子产品中的高效功率管理单元。
IPB088N06N3 G, IPP088N06N3 G
