时间：2025/7/24 18:45:00
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IPD075N03L是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于各种高功率密度和高效率的电源管理应用中。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及电源开关等场景。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：75A
导通电阻（RDS(on)）：5.8mΩ（典型值，VGS=10V）
功耗（Ptot）：130W
封装类型：PG-TO220-3-1
IPD075N03L具备低导通电阻，使其在高电流条件下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。该MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供优异的开关性能和更高的可靠性。
其高电流承载能力和优异的热管理性能，使其能够在高负载条件下保持稳定运行。此外，该器件的栅极氧化层具有高耐用性，支持在高频率开关应用中长期使用。
IPD075N03L还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，能够在恶劣工作环境下保持器件的稳定性和安全性，延长使用寿命。
IPD075N03L常用于开关电源（SMPS）、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电机驱动器以及汽车电子系统中的功率控制部分。该器件也适用于需要高效率和高可靠性的工业自动化设备和服务器电源模块。
IPD090N03L, IPD060N03L, IPP075N03L
