时间：2025/4/28 20:15:53
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IPD075N03L G 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。它能够在高达 30V 的工作电压下运行，并提供出色的热性能和电气性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：7.5A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷（典型值）：19nC
输入电容：1480pF
功耗：25W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-Leadless（TOLL）
IPD075N03L G 具有非常低的导通电阻（RDS(on)），这使其在高效能转换应用中表现出色。此外，它的高雪崩能量能力确保了在异常情况下的可靠性。该器件还具有快速开关速度，从而减少开关损耗并提高整体系统效率。
其采用的 TO-Leadless 封装具有更低的热阻和更小的占板面积，非常适合空间受限的设计。同时，这种封装有助于降低寄生电感，进一步优化高频性能。
另外，该产品符合 RoHS 标准，并支持汽车级应用的要求。
IPD075N03L G 广泛应用于消费电子、工业设备及汽车领域。具体应用包括但不限于以下：
- 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管
- DC-DC 转换器中的高频开关元件
- 电动工具和其他便携式设备中的电机驱动
- 各类负载开关和保护电路
- 汽车电子系统中的电源管理与控制模块
由于其低 RDS(on) 和高温稳定性，这款 MOSFET 在需要高效能和可靠性的场合尤为适用。
IPB075N03L G, IPP075N03L G
