IPD060N03L是一款由Infineon(英飞凌)生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的沟槽式技术,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能的功率转换应用。
这款MOSFET属于N通道增强型器件,其额定电压为30V,适合于低压应用环境。由于其卓越的性能参数和可靠性,广泛应用于工业、汽车和消费电子领域。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:60A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:47nC
开关时间:典型值ton=9ns,toff=28ns
结温范围:-55°C至175°C
IPD060N03L具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗。
2. 高效的开关性能,适合高频应用。
3. 优异的热稳定性和耐用性,能够在高温环境下可靠工作。
4. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
5. 超低的栅极电荷和输出电荷,确保快速开关操作。
6. 小巧紧凑的封装形式,有助于节省PCB空间。
IPD060N03L适合用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动和控制
4. 电池管理系统(B 工业自动化设备
6. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路
其强大的电流承载能力和高效的开关性能使其成为众多高压和大电流应用的理想选择。
IPA60N03L, IPD060N03S