时间：2025/7/3 17:20:46
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IPD04N03L 是一款 N 沟道逻辑电平 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景中。该器件采用了先进的制造工艺，在保持小封装的同时提供卓越的电气性能。
该 MOSFET 的额定电压为 30V，具有较低的导通电阻，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
栅极阈值电压：1.2V
总功耗：1.1W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
IPD04N03L 具有非常低的导通电阻，这使其非常适合低功耗应用。它支持快速开关，并且由于其逻辑电平驱动设计，可以轻松与 3.3V 或 5V 控制信号兼容。
此外，它的紧凑型封装有助于节省 PCB 空间，同时保持出色的热性能。此器件还具有较高的雪崩能力和 ESD 保护功能，增强了系统的可靠性和耐用性。
主要特点包括：
- 极低的 Rds(on) 提高效率
- 高速开关能力
- 小型封装设计
- 支持逻辑电平驱动
- 宽工作温度范围
- 增强的静电放电保护
这款 MOSFET 广泛适用于多种领域，例如：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电池管理模块
- 消费类电子设备中的负载开关
- 工业控制中的电机驱动
- 固态继电器
- 通信系统中的功率分配电路
由于其出色的电气特性和可靠性，IPD04N03L 在需要高性能功率管理的应用中表现尤为突出。
AO3400
IRLML6401
FDMC8720
