JMK316ABJ226MD-T是一款高性能的功率MOSFET芯片,适用于高频率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高电流承载能力的特点,同时优化了开关性能以提高效率并减少功耗。
该器件使用TO-220封装形式,具有较高的散热性能,并且内置了多种保护功能(如过流保护和过温保护),使其在各种复杂环境下能够稳定运行。
型号:JMK316ABJ226MD-T
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:TO-220
Vds(漏源电压):650V
Rds(on)(导通电阻):0.18Ω
Id(持续漏极电流):16A
fmax(最大工作频率):500kHz
Ptot(总功率耗散):150W
Tj(结温范围):-55℃ to +175℃
JMK316ABJ226MD-T具有以下主要特性:
1. 低导通电阻Rds(on),能够有效降低导通损耗,从而提升整体效率。
2. 高耐压Vds设计,支持高达650V的工作电压,适合高压应用场景。
3. 快速开关速度,优化了栅极电荷Qg,使器件能够在高频条件下高效工作。
4. 内置过流保护和热关断机制,提高了系统的可靠性和安全性。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计,满足现代电子产品的环保要求。
6. 具有良好的散热性能,适合长时间连续工作。
JMK316ABJ226MD-T广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计,包括AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器,用于工业控制和通信设备中的电压调节。
3. 电机驱动电路,为家用电器、电动工具及工业自动化设备提供动力控制。
4. 太阳能逆变器,用于光伏系统中的能量转换。
5. 脉宽调制(PWM)控制器,用于精确调节输出信号幅度或频率。
6. 电动车及混合动力汽车中的电力管理系统。
JMK316ABJ226MD-S, IRF840, STP16NF65