时间：2025/5/13 14:12:47
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IPD048N06L3G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制程工艺制造，适用于各种需要高效能和低导通电阻的应用场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
该型号属于逻辑电平系列，其栅极驱动电压较低，非常适合电池供电设备和其他对功耗敏感的设计。
最大漏源电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：48A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.2V 至 3.0V
总功耗(Ptot)：218W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
IPD048N06L3G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高效的开关性能，支持高频开关应用。
3. 较低的栅极电荷 (Qg)，可降低驱动功耗。
4. 逻辑电平兼容栅极驱动，便于与低压控制电路集成。
5. 提供出色的热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保设计。
IPD048N06L3G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池管理系统 (BMS) 和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 太阳能逆变器及其他新能源相关设备。
6. 汽车电子系统的功率管理部分。
IRLB8748PBF, FDP048N06L, STP48NF06L
