类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：4V
　　集电极最大持续电流（IC）：150mA
　　功耗（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件：IC=1mA, VCE=6V）
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　存储温度范围：-55℃～+150℃

2SC3648L具备卓越的高频响应能力，其过渡频率高达8GHz，这使得它能够广泛应用于UHF频段及以下的射频放大电路中。在典型工作条件下，该晶体管表现出低噪声系数和高功率增益，尤其适合用于接收前端的低噪声放大器（LNA），可有效提升系统的信噪比和灵敏度。其直流电流增益范围宽（70～700），表明该器件在不同偏置条件下具有良好的一致性与灵活性，便于电路设计中的偏置点设定和温度稳定性补偿。
　　该器件的集电极电流额定值为150mA，功耗为200mW，适用于低功耗便携式设备，在电池供电的应用中表现出良好的能效平衡。其击穿电压参数（VCEO=50V）允许在多种低压电源系统中安全运行，例如3.3V或5V逻辑系统，同时具备一定的过压耐受能力。
　　2SC3648L采用小型表面贴装封装，热阻较低，有利于高效散热，同时减小PCB占用空间，满足现代电子产品小型化、轻量化的设计趋势。其结构采用先进的硅平面工艺制造，确保了器件的高可靠性和长期稳定性。在环境适应性方面，该晶体管可在-55℃至+150℃的结温范围内正常工作，适用于严苛工业环境或高温运行场景。
　　此外，该器件具有良好的线性度和较低的失真特性，适用于小信号放大应用，避免信号畸变。其快速开关能力也使其可用于高速数字开关电路或脉冲放大器中。整体而言，2SC3648L是一款集高频性能、低噪声、高增益和高可靠性于一体的通用高频晶体管，适用于多类型模拟和射频电路设计。

2SC3648L广泛应用于高频模拟和射频电子系统中，特别是在需要低噪声放大和高增益特性的场合。典型应用包括无线通信设备中的射频放大器、中频放大器以及天线前端的低噪声放大器（LNA），如蓝牙耳机、Wi-Fi模块、ZigBee通信设备和无线传感器网络节点等。由于其高频特性优异，也常用于UHF电视调谐器、FM收音机模块和手持式对讲机等消费类电子产品中。
　　在工业控制和自动化系统中，该晶体管可用于无线数据传输模块的信号放大单元，提升远距离通信的稳定性和抗干扰能力。此外，在射频识别（RFID）读写器的设计中，2SC3648L可用于增强微弱信号的接收能力，提高标签识别率和读取距离。
　　由于其具备良好的开关特性，该器件也可用于高速数字信号切换电路、脉冲发生器或驱动小功率负载的开关应用。在测试测量仪器中，如信号发生器或频谱分析仪的前置放大级，2SC3648L也能发挥其低噪声和高线性度的优势。
　　此外，该晶体管适用于各类便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等内部的射频功能模块，支持多频段信号处理。其小型封装和低功耗特性使其非常适合高集成度、电池供电的应用场景。总体而言，2SC3648L是一款多功能、高性能的高频晶体管，适用于广泛的通信、消费电子和工业领域。

MMBT3904, 2SC3356, BFR92A