时间：2025/7/12 1:15:28
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IPD048N06L3是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TOLL封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高能效的特点，适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等应用场合。其额定电压为60V，能够承受较高的瞬态电压，同时具备快速开关特性和较低的栅极电荷，有助于提升系统效率并减少能耗。
这款MOSFET由Infineon Technologies生产，属于OptiMOS系列，以其出色的热性能和电气特性著称，非常适合要求高效率和紧凑设计的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TOLL
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：48A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，VGS=10V时）
栅极电荷(Qg)：76nC（典型值）
总功耗(Ptot)：239W
工作温度范围(TJ)：-55℃至+175℃
IPD048N06L3的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下实现高效运行。
2. 快速开关能力，降低开关损耗，适合高频应用。
3. TOLL封装提供出色的散热性能，并且兼容标准焊接工艺。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 栅极阈值电压稳定，确保可靠的开关操作。
7. 紧凑的封装尺寸有助于节省PCB空间。
该MOSFET适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 工业电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器的核心功率开关。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统（BMS）。
5. 太阳能逆变器以及其他可再生能源设备中的功率转换模块。
6. 负载开关和保护电路中的电子保险丝功能。
IPW120N06S3G, IPP040N06S3, IRFB4110TRPBF
