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IPD048N06L3 G 发布时间 时间:2025/6/3 20:19:25 查看 阅读:6

IPD048N06L3 G 是一款 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装,适用于消费类电子、工业控制、电源管理等领域的应用。
  该芯片通过优化设计,提供较低的导通电阻以及快速开关性能,从而降低功耗并提高整体效率。

参数

型号:IPD048N06L3 G
  VDS(漏源电压):60V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):48mΩ
  ID(连续漏极电流):17A
  VGS(th)(栅极阈值电压):2.1V
  Qg(总栅极电荷):21nC
  fmax(最大工作频率):2MHz
  封装:TO-252 (DPAK)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IPD048N06L3 G 具备以下显著特性:
  1. 低导通电阻:其 RDS(on) 仅为 48mΩ(典型值),能够有效减少导通状态下的功耗。
  2. 快速开关性能:由于具有较低的总栅极电荷 Qg 和输出电荷,该 MOSFET 可以在高频下实现高效的开关操作。
  3. 高电流能力:支持高达 17A 的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
  4. 宽工作温度范围:能够在 -55°C 至 +175°C 的环境下可靠运行,适应多种应用场景。
  5. 逻辑电平驱动兼容性:低至 2.1V 的 VGS(th) 确保其与低压逻辑电路直接连接,无需额外的驱动电路。
  6. 良好的热性能:采用 TO-252 (DPAK) 封装,有助于散热并提高可靠性。

应用

IPD048N06L3 G 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS):
   - DC-DC 转换器
   - 降压或升压转换器
  2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机 (BLDC) 控制
   - 步进电机驱动
  3. 电池管理系统 (BMS):
   - 电池保护电路
   - 充电/放电控制
  4. 工业自动化:
   - 固态继电器
   - 可编程逻辑控制器 (PLC) 输出级
  5. 消费类电子产品:
   - 笔记本电脑适配器
   - 手机充电器
  此外,它还适用于 LED 驱动器、音频放大器和其他需要高效功率开关的应用场景。

替代型号

IPB048N06L3 G, IPP048N06L3 G

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IPD048N06L3 G参数

  • 数据列表IPD048N06L3 G
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.8 毫欧 @ 90A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 58µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds8400pF @ 30V
  • 功率 - 最大115W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000453334