IPD048N06L3 G 是一款 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装,适用于消费类电子、工业控制、电源管理等领域的应用。
该芯片通过优化设计,提供较低的导通电阻以及快速开关性能,从而降低功耗并提高整体效率。
型号:IPD048N06L3 G
VDS(漏源电压):60V
RDS(on)(导通电阻,典型值):48mΩ
ID(连续漏极电流):17A
VGS(th)(栅极阈值电压):2.1V
Qg(总栅极电荷):21nC
fmax(最大工作频率):2MHz
封装:TO-252 (DPAK)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
IPD048N06L3 G 具备以下显著特性:
1. 低导通电阻:其 RDS(on) 仅为 48mΩ(典型值),能够有效减少导通状态下的功耗。
2. 快速开关性能:由于具有较低的总栅极电荷 Qg 和输出电荷,该 MOSFET 可以在高频下实现高效的开关操作。
3. 高电流能力:支持高达 17A 的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
4. 宽工作温度范围:能够在 -55°C 至 +175°C 的环境下可靠运行,适应多种应用场景。
5. 逻辑电平驱动兼容性:低至 2.1V 的 VGS(th) 确保其与低压逻辑电路直接连接,无需额外的驱动电路。
6. 良好的热性能:采用 TO-252 (DPAK) 封装,有助于散热并提高可靠性。
IPD048N06L3 G 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源 (SMPS):
- DC-DC 转换器
- 降压或升压转换器
2. 电机驱动:
- 无刷直流电机 (BLDC) 控制
- 步进电机驱动
3. 电池管理系统 (BMS):
- 电池保护电路
- 充电/放电控制
4. 工业自动化:
- 固态继电器
- 可编程逻辑控制器 (PLC) 输出级
5. 消费类电子产品:
- 笔记本电脑适配器
- 手机充电器
此外,它还适用于 LED 驱动器、音频放大器和其他需要高效功率开关的应用场景。
IPB048N06L3 G, IPP048N06L3 G