RSD200N10 时间：2025/6/19 13:08:16 阅读：2

RSD200N10是一款基于MOSFET技术的功率半导体器件，主要用于开关和整流应用。该器件属于N沟道增强型功率MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特性。RSD200N10适用于各种工业和消费类电子设备中的电源管理、电机驱动及负载切换场景。
　　这款功率MOSFET的设计能够承受较高的电压和电流水平，同时保持较低的功耗。它的封装形式通常为TO-220或DPAK，适合表面贴装或通孔安装。RSD200N10广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及LED驱动电路等领域。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：200A
　　导通电阻：5mΩ
　　栅极电荷：35nC
　　总电容：350pF
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220

特性

RSD200N10具有以下显著特性：
　　1. 低导通电阻（Rds(on)），在高电流条件下能有效降低功率损耗。
　　2. 高速开关性能，支持高频应用，减少开关损耗。
　　3. 良好的热稳定性，可承受极端的工作温度环境。
　　4. 强大的雪崩能力，确保在过载或短路情况下依然可靠运行。
　　5. 封装设计优化散热性能，提升整体效率。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。

应用

RSD200N10的应用领域包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流管。
　　3. 工业电机驱动电路中的功率级控制。
　　4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
　　5. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
　　6. LED照明驱动电路中的开关元件。
　　7. 各种负载切换和保护电路中作为关键功率器件。