IPD040N08NF2S 是一款 N 沃特功率 MOSFET,采用 TOLL 封装。该器件由 Infineon Technologies 生产,设计用于高效率的功率转换应用。其低导通电阻和优化的开关性能使其成为工业、消费类和汽车应用的理想选择。
该 MOSFET 的额定电压为 80V,具有较低的导通电阻,从而提高了整体系统效率并减少了功率损耗。此外,它还具备快速开关速度和良好的热性能,有助于在紧凑的设计中实现高效散热。
最大漏源电压:80V
最大连续漏电流:319A
最大脉冲漏电流:638A
导通电阻(典型值):1.7mΩ
栅极电荷(典型值):205nC
输入电容(典型值):4180pF
总热阻(结到环境):0.02K/W
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TOLL
IPD040N08NF2S 提供了卓越的电气性能和可靠性,以下是其主要特点:
- 高效的功率转换得益于极低的导通电阻。
- 优化的开关特性支持高频操作,减少开关损耗。
- TOLL 封装提供了出色的散热性能,适合大电流应用。
- 增强的雪崩能力和坚固性确保了在恶劣条件下的可靠运行。
- 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车领域应用。
- 具备反向恢复电荷极低的体二极管,提高效率和稳定性。
这款 MOSFET 可广泛应用于以下领域:
- 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的 DC/DC 转换器。
- 工业电机驱动和伺服控制器。
- 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率级管理。
- 不间断电源(UPS)和服务器电源中的高效功率转换。
- 消费类电子产品中的适配器和充电器。
- LED 照明驱动电路。
IPW100N08S2G, IRFH7736TRPBF