时间：2025/9/14 13:01:13
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PSMN2R5-30YL,115 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等应用场景。该器件采用小型化封装，适用于对空间要求较高的设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：160A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：2.5mΩ（最大值，在VGS=10V时）
功耗（Ptot）：120W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：LFPAK56（也称为Power-SO8）
引脚数：8
PSMN2R5-30YL,115 具备多项关键特性，使其在高性能功率应用中表现出色。
首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。这种低RDS(on)特性在高电流应用中尤为重要，能够有效减少发热，提升整体可靠性。
其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式工艺技术，进一步优化了导通电阻和开关性能之间的平衡。这使得该器件在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗，并提高了响应速度。
此外，PSMN2R5-30YL,115 采用 LFPAK56（Power-SO8）封装形式，具有出色的热性能和机械稳定性。这种封装不仅提供了良好的散热能力，还增强了抗机械应力的能力，适用于汽车电子、工业电源等严苛环境下的应用。
该器件支持高电流负载能力，在适当的散热条件下可承受高达160A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。
最后，其栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V或12V驱动电压，适用于多种驱动电路配置。
PSMN2R5-30YL,115 广泛应用于多种高效率功率管理系统中。在 DC-DC 转换器中，它作为主开关器件，能够高效地将输入电压转换为所需的输出电压，适用于服务器电源、通信设备电源模块等场合。在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制、保护电路和负载开关，确保电池安全高效运行。此外，该器件也适用于电机驱动、电源管理模块、负载开关电路以及汽车电子中的功率控制应用，如车载充电器、DC-DC转换器等。其优异的热性能和高电流能力使其在高功率密度设计中表现出色，特别适合空间受限但需要高性能的系统。
SiR142DP-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5B, AO4406
