时间：2025/8/2 7:57:21
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IPC50N04S5L-5R5 是一款由英飞凌（Infineon）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能和高可靠性的应用场景设计。这款MOSFET属于OptiMOS?系列，广泛用于电源转换、电机控制和负载管理等应用。其主要特点是低导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下提供较低的导通损耗，从而提高整体效率。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：50A（最大）
漏极-源极电压（VDS）：40V
漏极-栅极电压（VDG）：40V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（最大）
功率耗散（PD）：120W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
IPC50N04S5L-5R5 的特性包括低导通电阻，使得在高电流下也能保持较低的功率损耗，这对于高效电源转换系统尤为重要。该器件采用先进的封装技术，确保良好的热管理和可靠性，适用于苛刻的工作环境。其高耐压特性使其在高负载应用中表现出色，例如DC-DC转换器、电池管理系统和电机控制电路。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在突发高电压情况下的稳定性。器件还具备良好的短路耐受能力，进一步提升了系统的稳定性和安全性。
IPC50N04S5L-5R5 常见于各类电源管理系统中，如服务器电源、电信设备、工业自动化控制系统以及电动车电池管理系统。它也被广泛用于同步整流、负载开关以及电机驱动电路中。由于其高效的能量转换能力和良好的热管理性能，这款MOSFET在高功率密度和高效率要求的应用中尤为受欢迎。
IPD50N04S5L-5R5，IRF540N，IRF1405，Si444N
