时间：2025/5/23 12:35:38
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IPC100N04S5-1R9 是一款基于硅技术的 N 沃特（N-Channel）功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻和高开关速度，适用于多种高频和高效能应用。其采用 TO-263 封装形式，适合表面贴装技术（SMT），能够有效提升电路性能并简化设计过程。
这款功率 MOSFET 在电源管理、电机驱动以及工业控制领域表现优异，是现代电子设备中不可或缺的关键元件。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：100A
导通电阻（典型值）：1.9mΩ
栅极电荷：38nC
总功耗：240W
封装类型：TO-263
IPC100N04S5-1R9 的主要特性包括出色的热性能、低导通电阻以及高可靠性。
低导通电阻确保了在大电流条件下产生的功率损耗最小化，从而提升了整体效率。
此外，该器件具备快速开关能力，能够显著降低开关损耗，非常适合高频应用。
其坚固的设计和优化的热阻使其能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。
同时，由于采用了先进的封装技术，IPC100N04S5-1R9 还具备卓越的电气隔离能力和抗干扰性能。
IPC100N04S5-1R9 广泛应用于多个领域，例如 DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动车辆中的电机驱动系统。
在通信电源和工业自动化设备中，该器件同样表现出色，可实现高效的功率转换和精准的负载控制。
此外，它还被广泛用于消费类电子产品，如笔记本电脑适配器和家用电器等，以满足对高性能和低能耗的需求。
IPC075N04S5-1R6
IPC075N04S5-1R7
IPC100N04L
