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MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT 发布时间 时间:2025/10/22 10:38:56 查看 阅读:11

MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT 是由Micron Technology(美光科技)生产的一款多芯片封装(Multi-Chip Package, MCP)NAND + LPDDR4x 存储器器件,专为高密度、高性能的移动和嵌入式应用设计。该器件将4Gb x 8 NAND闪存与4Gb x 16 LPDDR4x DRAM集成于单一BGA封装中,适用于智能手机、平板电脑、便携式设备和其他对空间和功耗敏感的应用场景。型号中的'4G48'表示总存储容量配置,其中包含4Gb NAND和4Gb DRAM,而'MAA'代表特定的组织结构和工艺技术。封装形式为小型化的120-ball BGA(Ball Grid Array),符合JEDEC标准尺寸,便于在紧凑的PCB布局中使用。该器件工作电压分别为1.8V(NAND)和0.6V/1.1V(LPDDR4x I/O和核心电压),支持低功耗模式以延长电池寿命。WT后缀通常指卷带包装(Tape and Reel),适用于自动化贴片生产流程。该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和可靠性,适合工业级温度范围运行。

参数

制造商:Micron Technology
  产品系列:MT29C
  存储类型:NAND Flash + LPDDR4x DRAM
  总容量:4Gb NAND + 4Gb DRAM
  NAND 容量:4 Gb (512 MB)
  DRAM 容量:4 Gb (512 MB x 16-bit)
  封装类型:120-ball BGA
  引脚数:120
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  NAND 电压:1.8 V
  DRAM 核心电压(VDD):0.6 V
  DRAM I/O 电压(VDDQ):1.1 V
  时序等级:-48 (对应373 MHz / 1866 Mbps数据速率)
  接口类型:ONFI 2.3 兼容 NAND, LPDDR4x
  数据宽度:NAND x8, DRAM x16
  封装尺寸:10 mm x 10 mm x 0.7 mm
  湿敏等级(MSL):3

特性

MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT 的核心特性在于其高度集成的多芯片封装设计,将非易失性NAND闪存与高速低功耗LPDDR4x动态随机存取存储器整合于单一BGA封装内,显著节省了印刷电路板(PCB)空间并简化了系统设计复杂度。NAND部分采用美光先进的128Gb TLC(Triple-Level Cell)工艺衍生出的4Gb die,支持ONFI 2.3标准接口,提供高达166MB/s的数据读写速度,具备ECC纠错支持和坏块管理机制,确保数据完整性与长期可靠性。该NAND模块适用于操作系统存储、应用程序加载及用户数据保存。
  LPDDR4x DRAM部分运行在0.6V核心电压下,通过1.1V I/O接口实现x16位宽的数据通道,在-48时序等级下可达到1866Mbps的传输速率,有效支持图形处理、多任务操作和实时数据缓存需求。该DRAM支持多种低功耗状态,包括自刷新(Self-Refresh)、深度掉电模式(Deep Power Down)和时钟门控技术,大幅降低待机和轻负载下的能耗,非常适合移动设备延长续航时间。整个MCP器件采用先进的堆叠封装工艺,内部通过精细的导线键合或硅通孔(TSV)技术连接多个晶粒,保证信号完整性和热稳定性。
  此外,该器件符合JEDEC标准化规范,确保与其他平台组件的兼容性。其120-ball BGA封装具有1.0mm球间距,底部带有接地散热焊盘,有助于热量传导至PCB,提升整体散热效率。器件支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),可在严苛环境下稳定运行。内置的电源管理逻辑优化了上电顺序和电压斜坡控制,避免因电压不稳定导致的数据错误或器件损坏。美光还提供了完整的技术支持文档、参考设计指南和验证测试报告,帮助客户快速完成产品导入和量产验证。

应用

MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT 主要应用于对空间、性能和功耗有严格要求的便携式电子设备。典型应用场景包括中高端智能手机和平板电脑,其中NAND用于存储操作系统、应用程序和用户文件,而LPDDR4x DRAM则作为主内存支持多任务处理、图形渲染和后台服务运行。该器件也广泛用于智能穿戴设备如智能手表和AR/VR头显,因其小型化封装能够适应有限的内部空间,同时提供足够的内存带宽支持复杂交互体验。
  在工业控制领域,该MCP可用于人机界面(HMI)、便携式数据采集终端和嵌入式控制器,满足长时间运行和恶劣环境下的稳定性需求。车载信息娱乐系统(IVI)同样受益于该器件的高集成度和可靠性能,能够在车辆启动时快速加载导航、多媒体和通信功能。此外,该器件适用于物联网网关、无线路由器和边缘计算设备,支持固件存储与高速数据缓存,提升系统响应速度和处理能力。由于其标准化接口和成熟供应链,该器件也被广泛用于消费类电子产品原型开发和批量生产,缩短产品上市周期。

替代型号

MT29C4G48MAAGDABA-48 IT

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MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失性,易失性
  • 存储器格式FLASH,RAM
  • 技术闪存 - NAND,移动 LPDRAM
  • 存储容量4Gb(NAND),2Gb(LPDRAM)
  • 存储器组织512M x 8(NAND),64M x 32(LPDRAM)
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率208 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳137-VFBGA
  • 供应商器件封装137-VFBGA(13x10.5)