时间：2025/8/28 17:44:39
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IPB65R310CFDA 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET器件，属于CoolMOS? CFD系列。该系列结合了超结（Super Junction）技术，实现了更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的开关效率，适用于高功率密度和高效率要求的应用场景。IPB65R310CFDA采用TO-263封装，具备良好的散热性能和可靠性，广泛应用于电源适配器、服务器电源、工业电源以及新能源设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：650V
最大漏极电流（Id）：连续：20A（Tc=100℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大310mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：典型值为60nC
输入电容（Ciss）：典型值为1200pF
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-263（表面贴装）
IPB65R310CFDA 采用了英飞凌先进的CoolMOS?超结技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统效率。其低导通电阻（310mΩ）确保在高负载条件下仍能保持较低的功耗，同时减少散热需求，有助于实现更紧凑的设计。此外，该器件具有出色的热稳定性和耐用性，可在高工作温度下维持稳定性能。
该MOSFET还具备快速恢复二极管特性，有助于减少反向恢复损耗，适用于高频开关应用。其栅极驱动特性优化，降低了开关过程中的能量损耗，同时提高了EMI（电磁干扰）性能。TO-263封装设计提供了良好的散热能力，适合高功率密度的电源设计需求。
IPB65R310CFDA 适用于多种高功率和高效率电源系统，包括但不限于：AC-DC电源适配器、服务器电源供应器、工业自动化电源系统、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电器以及LED照明驱动电路。其高效的开关性能和良好的热管理能力使其成为高频开关电源和节能型电源系统中的理想选择。
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