IPB60R180P7是一款由Infineon(英飞凌)生产的MOSFET功率晶体管,采用TO-252 (DPAK) 封装。该器件属于P沟道增强型MOSFET,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等场景。其设计旨在提供低导通电阻和高效率的性能表现,同时具有出色的热特性和可靠性。
型号:IPB60R180P7
类型:P沟道增强型MOSFET
封装:TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(V_DS):60V
最大栅源电压(V_GS):±20V
连续漏极电流(I_D):34A
导通电阻(R_DS(on)):180mΩ(典型值,在V_GS=-10V时)
总功耗(P_TOT):3.5W
工作结温范围(T_J):-55°C至+150°C
IPB60R180P7具有以下特点:
1. 低导通电阻:在V_GS=-10V时,典型值为180mΩ,可有效降低传导损耗。
2. 高效散热:采用TO-252封装,能够提供良好的热性能。
3. 快速开关能力:优化了开关速度,适合高频应用。
4. 可靠性强:符合工业标准,具有较高的稳定性和抗干扰能力。
5. 广泛的工作温度范围:能够在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作。
这些特性使得IPB60R180P7成为许多高效能电源管理应用的理想选择。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的开关元件。
3. 负载开关控制。
4. 电池保护电路。
5. 电机驱动和逆变器应用。
IPB60R180P7凭借其优异的性能,在汽车电子、工业自动化以及消费类电子产品中都有广泛应用。
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