时间：2025/5/29 8:34:41
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IPB120N10S4-05 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 SMD 封装，具体为 TO-Leadless (DT) 封装形式，适用于需要高效率和低导通损耗的应用场景。其额定电压为 100V，持续漏极电流为 120A，主要针对开关电源、电机驱动、DC/DC 转换器以及负载开关等应用设计。
该 MOSFET 具有较低的导通电阻和栅极电荷，能够有效减少传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：120A
导通电阻（典型值，在 Vgs=10V 时）：3.8mΩ
栅极电荷（典型值）：76nC
总栅极电荷（典型值）：93nC
输入电容（典型值）：2080pF
反向恢复时间：90ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IPB120N10S4-05 的主要特点是其具有非常低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 时仅为 3.8mΩ。这使得它非常适合用于高电流密度的设计，同时可以显著降低功耗。
此外，该器件还具备以下优势：
1. 高效的热性能：TO-Leadless 封装提供卓越的散热能力，有助于将热量快速传导至 PCB 上。
2. 快速开关速度：得益于其低栅极电荷和优化的内部结构，IPB120N10S4-05 可实现快速开关，从而减少开关损耗。
3. 增强的鲁棒性：该器件经过严格测试，确保能够在严苛的工作条件下保持可靠性。
4. 紧凑型封装：相比传统插件封装，SMD 封装更节省空间，便于设计小型化产品。
5. 广泛的工作温度范围：支持从 -55°C 到 +175°C 的结温范围，适应各种环境条件。
IPB120N10S4-05 适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动电路
3. DC/DC 转换器
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
6. 新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中的功率管理单元
IPD120N10S4KSA-05, IRFH5320TRPbF, FDP158N10AS
