时间：2025/8/6 6:15:16
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MDMA110P1600TG 是一款由 STMicroelectronics 制造的功率MOSFET晶体管，属于P沟道MOSFET类别，适用于高功率和高效率的开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，确保在高温环境下也能稳定工作。MDMA110P1600TG 的设计使其能够承受较高的电压和电流负载，因此在电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等应用中表现出色。
类型：P沟道
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：110A
功耗（PD）：320W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
导通电阻（RDS(on)）：典型值为 1.6mΩ
栅极电荷（QG）：约 140nC
输入电容（Ciss）：约 2900pF
MDMA110P1600TG 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使得器件在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。该器件采用了先进的封装技术，提供良好的热管理性能，从而延长器件的使用寿命。
此外，MDMA110P1600TG 具有较高的耐压能力，可在高电压环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制电路的设计，同时具备较强的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中仍能正常工作。
该MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其高可靠性设计也使其适用于汽车电子、工业自动化等对稳定性和耐用性要求较高的场景。
MDMA110P1600TG 常用于需要高电流和高效率的功率电子系统中。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电源管理系统。此外，它在汽车电子领域也有广泛应用，例如车载充电系统、电池管理系统和电动助力转向系统。
由于其优异的热性能和高可靠性，该器件也适用于工业自动化设备、服务器电源和不间断电源（UPS）等高要求的工业应用。在消费电子领域，该MOSFET也可用于高性能电源适配器和大功率LED驱动电路。
STP110P10F7AG | FDD8882 | IRF9540N
