时间：2025/5/21 13:30:09
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IPB120N06S4-03 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。该器件适用于高频开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其典型应用包括 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动以及负载切换等场景。
该 MOSFET 属于 Infineon 的 BIPAxx 系列产品，专为高效能要求的工业及消费类电子设计而优化。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：120A
导通电阻：3.6mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：7nC（典型值）
总电容（Ciss）：840pF（典型值）
开关时间：ton=13ns，toff=9ns（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关性能，适合高频应用。
3. 高雪崩能力，增强器件在过载条件下的可靠性。
4. 具备出色的热稳定性，能够在高结温下保持性能。
5. 小型封装设计节省 PCB 空间，同时提供良好的散热性能。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换级。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电机控制与驱动电路中的功率开关。
4. 各种负载切换应用，如电池管理系统中的开关。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
IPW120N06S4-03, IRFZ44N, FDP150N06L
