时间：2025/12/24 4:22:42
阅读：27
IPB107N20N3G是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TRENCHSTOP?技术制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种高效能电源转换应用。其额定电压为200V，持续电流可达7A，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及太阳能逆变器等场景。
这款MOSFET采用了TO-220封装形式，便于安装与散热管理，同时提供卓越的电气性能和可靠性。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：7A
导通电阻（典型值）：0.45Ω
栅极电荷（典型值）：19nC
输入电容（典型值）：1180pF
总功耗：130W
工作温度范围：-55℃至+150℃
IPB107N20N3G具备高雪崩能力，能够承受过载条件下的能量冲击，确保长期稳定运行。
其低导通电阻特性减少了导通损耗，从而提高了整体效率。
快速开关性能使得该器件在高频应用中表现优异，降低了开关损耗。
此外，它还具有良好的热稳定性和坚固的设计结构，适用于恶劣的工作环境。
TRENCHSTOP?技术的应用进一步优化了器件的动态性能和静态参数，使其成为高性能电源设计的理想选择。
IPB107N20N3G广泛应用于工业及消费类电子产品领域，例如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电动工具驱动电路、家用电器控制模块以及太阳能微逆变器等场景。
由于其出色的耐压能力和高效性能，该器件也常用于汽车电子系统的辅助功能设计中，如车窗升降机或座椅调节系统等低功率电机驱动场合。
IPW107N20N3G, IPP067N20N3G
